高电压功率晶体管 MJD350 TO-252 PNP ON

型号：MJD350
制造商：ON Semiconductor
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO：300 V
发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
最大直流电集电极电流：0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min：30 at 50 mA at 10 V
配置：Single
最大工作温度：+ 150 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：TO-252-3 (DPAK)
封装：Tube
集电极连续电流：0.5 A
最小工作温度：- 65 C
功率耗散：15 W
描述：PNP Epitaxial Silicon Transistor 
工厂包装数量：75

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营音响功放IC,现货库存供应MJD350 ,全新原装，公司大量现货库存供应。

MJD350应用：

专为线路供电的音频输出放大器，开关电源驱动器和其他开关应用。

MJD340 （ NPN ）

MJD350 （ PNP ）