TIP136 全新PNP 功率达林顿管

型号：TIP36C
品牌：TI
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：25A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 5A，25A
电流 - 集电极截止（最大）：1mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 15A，4V
功率 - 最大：125W
频率 - 转换：3MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-218-3
供应商设备封装：SOT-93
包装：管件
其它名称：TIP36COS
 标准包装：30

DESCRIPTION

The TIP35C is a silicon Epitaxial-Base NPN

transistor mounted in TO-218 plastic package. It

is intented for use in power amplifier and

switching applications.

The complementary PNP type is TIP36C.

Also TIP36B is a PNP type

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 80 100 V

VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 80 100 V

VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 5 V

IC Collector Current 25 A

ICM Collector Peak Current 50 A

IB Base Current 5 A

Ptot Total Dissipation at Tcase ≤ 25 oC 125 W

Tstg Storage Temperature -65 to 150 oC

Tj Max. Operating Junction Temperature 150 oC

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