60V 0.2A NPN低Vcesat BISS晶体管MNT1984

一般说明
60V 0.2A NPN低电压SAT的组合
小信号（BISS）晶体管的突破。

规格特征

⚫ 高集电极电流容量0.2A集成电路
⚫ 由于产生的热量较少，因此具有较高的能效
⚫ 高功率和电流处理能力
⚫ 较小的所需印刷电路板（PCB）

应用
⚫充电电路
⚫ 负荷开关
⚫ 电源管理
⚫ 电池驱动设备
⚫ PWM应用
⚫ 电源开关（如电机、风扇）

主营穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管

1，充电二合一：ML2019T 手机功能机

3ESD:MESD3V3SF10B,MESD3V3SF06B,MESD5V0UF10B,MESD5V0SF10B,MESD5V0UF10B/MESD5V0SF06B

4，浪涌TVS管： 7V/12V/15V/24V穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管针对TWS行业推出多款以DFN2020、DFN1212、DFN1006（0402）、DFN0603（0201）为代表的小尺寸封装 BJT、MOS、SBD、ZENER、TVS、ESD系列产品，典型高度0.5mm。比传统SOT23、SOT523、SOT723等封装尺寸更小，MSD湿敏等级更高（穿戴产品敏感参数），功率密度更高，MOS(Rdson)，SBD(VF)，BJT(Vces)，Vc (TVS/ESD)等参数更低。由于DFN相对SOT系列封装是无引脚封装，寄生的阻抗、电感、电容更小（降低RC参数），更高速更灵敏实现信号的切换。而超薄尺寸超小体积器件将有力支持体积偏大的TWS充电仓走向刀片式超薄尺寸。此外Millersemi针对TWS低电压驱动工作情况推出了超低工作电压（1.8V驱动 N/P MOS）。从引脚 SOT23、SOT323 和 SOT363 到分立式扁平无引脚 DFN2020、DFN1212 和 DFN1006。