MN3012 ESD30V N沟道增强型MOSFET

说明
MN3012采用先进的沟槽技术，提供卓越的性能
RDS（开启），低栅极电荷，工作时栅极电压低至
1.0V。此设备适合用作电源负载开关或电源开关应用。

特征
⚫ VDS=30V，ID=700mA⚫ 在VGS=4.5V时RDS（开启）<1.5O
（类型：1.2O）⚫ 在VGS=2.5时，RDS（ON）<2.5O
⚫ 高功率和电流处理能力
⚫ 获得无铅产品
⚫ 表面贴装封装

应用
⚫ PWM应用
⚫ 负荷开关
⚫ 电源管理

石芯电子有限公司代理MILLERSEMI品牌（密勒半导体），供应穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管。

 我们主力市场是ARM架构的智能硬件产品（平板，TWS耳机，手机，穿戴产品）

• 首推MLN1212（兼容SOT723封装）MOS产品/BJT 广泛应用智能硬件行业做信号切换，热阻小，可以支持2A电流，交货好。正三角形PAD分布比DFN1006-3更易贴片而不会侧立偏移。

  
  

• 主推DFN2*2 ,DFN1610 ,DFN1006,DFN0603全系列ESD/TVS/BJT/MOS/SBD 产品。DFN2*2 2mm*2mm*0.5mm,双NMOS/双PMOS 尺寸小散热好功耗低。

  
  

• 主推超小尺寸0201（0.6mm*0.3mm）/0402 ESD器件，节省尺寸，常规容值与低容值，用在耳机上做静电保护。VBUS接口加TVS通过 300V 8/20浪涌测试，保护充电管理芯片，我们可以提供完整的ESD系列产品

  
  

• 主推DFN1006-3 (1.0mm*0.6mm*0.5mm),封装超小尺寸集成ESD 2KV MOSFET,用在耳机上作为信号开关(电平转换），此外还有DFN1006封装NPN/PNP 

  
  

  主营穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管

1，充电二合一：ML2019T 手机功能机

ESD:MESD3V3SF10B,MESD3V3SF06B,MESD5V0UF10B,MESD5V0SF10B,MESD5V0UF10B/MESD5V0SF06B

4，浪涌TVS管： 7V/12V/15V/24V

穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管针对TWS行业推出多款以DFN2020、DFN1212、DFN1006（0402）、DFN0603（0201）为代表的小尺寸封装 BJT、MOS、SBD、ZENER、TVS、ESD系列产品，典型高度0.5mm。比传统SOT23、SOT523、SOT723等封装尺寸更小，MSD湿敏等级更高（穿戴产品敏感参数），功率密度更高，MOS(Rdson)，SBD(VF)，BJT(Vces)，Vc (TVS/ESD)等参数更低。