MNT2658NPN低Vcesat BISS晶体管60V 0.15A

一般说明

60V 0.15A NPN低电压SAT的组合
小信号（BISS）晶体管的突破

规格特点
⚫ 高集电极电流容量0.15A集成电路
⚫ 由于产生的热量较少，因此具有较高的能效
⚫ 高功率和电流处理能力
⚫ 较小的所需印刷电路板（PCB）

应用
⚫ 充电电路
⚫ 负荷开关
⚫ 电源管理
⚫ 电池驱动设备
⚫ PWM应用
⚫ 电源开关（如电机、风扇）

石芯电子有限公司代理MILLERSEMI品牌（密勒半导体），供应穿戴产品应用的ESD与超小封装MOS管。

我们主力市场是ARM架构的智能硬件产品（平板，TWS耳机，手机，穿戴产品）

• 首推MLN1212（兼容SOT723封装）MOS产品/BJT 广泛应用智能硬件行业做信号切换，热阻小，可以支持2A电流，交货好。正三角形PAD分布比DFN1006-3更易贴片而不会侧立偏移。

  
  

• 主推DFN2*2 ,DFN1610 ,DFN1006,DFN0603全系列ESD/TVS/BJT/MOS/SBD 产品。DFN2*2 2mm*2mm*0.5mm,双NMOS/双PMOS 尺寸小散热好功耗低。

  
  

• 主推超小尺寸0201（0.6mm*0.3mm）/0402 ESD器件，节省尺寸，常规容值与低容值，用在耳机上做静电保护。VBUS接口加TVS通过 300V 8/20浪涌测试，保护充电管理芯片，我们可以提供完整的ESD系列产品

  
  

• 主推DFN1006-3 (1.0mm*0.6mm*0.5mm),封装超小尺寸集成ESD 2KV MOSFET,用在耳机上作为信号开关(电平转换），此外还有DFN1006封装NPN/PNP