供应东沅 FKBA3430 双非对称N沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA3430 PRPAK5x6 30V双非对称N沟道MOSFET

FKBA3430产品特征
● 先进的沟槽MOS技术
● 低RDS（ON）
● 高电流能力
● 100%EAS保证
● 绿色设备可用

FKBA3430产品应用
● 台式机中的电源管理
● 电信和工业中的相关DC/DC转换器

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：30V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=20A: 2.7~3.6mΩ
VGS=4.5V，ID=15A: 4.0~5.5mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.2V
● 漏源漏电流
VDS=24V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=24V，VGS=0V，TJ=55℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 栅极电阻：1.4Ω
● 闸门总电荷：29nC
● 栅极-源极电荷：4.6nC
● 栅极-漏极电荷：2.8nC
● 开机延迟时间：12ns
● 上升时间：10.5ns
● 关闭延迟时间：23ns
● 秋季时间：19ns
● 输入电容：1538pF
● 输出电容：749pF
● 反向传输电容：120pF

产品规格书（部分）