供应东沅 FKBA20N15S 单N沟道MOSFET

Fet/东沅 FKBA20N15S PRPAK5x6 N沟道150V快速开关MOSFET

FKBA20N15S额定参数

● 漏极-源极电压：150V
● 栅源电压：±20V
● 连续漏极电流
ID@TC=25℃：23A
ID@Tc=100℃：16A
ID@TA=25℃：4.5A
ID@TA=70℃：3.8A
● 脉冲漏极电流：60A
● 总功耗
PD@TC=25℃：72.6W
PD@TA=25℃：2.7W
● 储存温度范围：-55至175℃
● 工作接点温度范围：-55至175℃

电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
● 漏极-源极击穿电压：150V
● 静态漏极源导通电阻
VGS=10V，ID=10A: 47~56mΩ
VGS=4.5V，ID=10A: 53~68mΩ
● 栅极阈值电压：1.2~2.5V
● 漏源漏电流
VDS=120V，VGS=0V，TJ=25℃：1uA
VDS=120V，VGS=0V，TJ=85℃：5uA
● 栅源漏电流：±100nA
● 正向跨导：25S
● 栅极总电荷：19nC
● 栅极-源极电荷：4.5nC
● 栅极-漏极电荷：2.6nC
● 开机延迟时间：18ns
● 上升时间：5.8ns
● 关闭延迟时间：26.5ns
● 秋季时间：4.5ns
● 输入电容：1090pF
● 输出电容：93pF
● 反向传输电容：6pF

FKBA20N15S产品规格书（部分）