供应BRCS250N03DMF 蓝箭电子双N沟道MOS管

BlueRocket/蓝箭电子 BRCS250N03DMF SOT23-6塑封封装双N沟道MOS场效应管

电性能参数（Ta=25℃）
● 漏极-源极击穿电压：30V
● 零栅极电压漏极电流：1.0μA
● 闸门-阀体泄漏：±100nA
● 栅极阈值电压：1.0V 1.6V 2.5V
● 静态漏极-源极开启-电阻
RDS（开）1:20~31mΩ
RDS（开）2:26~43mΩ
● 漏极-源极二极管正向电压：0.75~1.2V
● 输入电容：690pF
● 输出电容：200pF
● 反向传输电容：130pF
● 栅极电阻：3.0Ω
● 闸门总费用：5.2nC
● 栅极总电荷：2.5nC
● 栅极-源极电荷：0.8nC
● 栅极-漏极电荷：1.3nC
● 开机延迟时间：4.5ns
● 开启-开启上升时间：2.5ns
● 关闭延迟时间：14.5ns
● 关闭下降时间：3.5ns

用途

BRCS250N03DMF用于电源管理，便携式设备和电池供电系统。

BRCS250N03DMF规格书（部分）