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产品属性
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NT5CC256M16ER-FL NANYA(南亚)DDR3L存储器
主要参数
型号:NT5CC256M16ER-FL
生产商:NANYA(南亚)
产品类别:第三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
系列:-
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3L
存储容量:4Gb (256M x 16)
存储接口:并联
SPEED(速度):
时钟频率:933MHz
写入时间:-
访问时间:-
电压-电源:1.283V ~ 1.45V
工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:FBGA96
原厂包装:卷带
零件状态:在售
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
DDR3L SDRAM,第三代低功耗双倍数据率同步动态存储器,是一种电脑存储器规格, DDR3L内存主要用于一些低功耗设备中比如为了尽量提升笔记本续航,就可以选用这种低电压版DDR3L内存。
DDR3L与DDR3功耗区别
标准的DDR3内存采用1.5V工作电压,而DDR3L内存则采用的是1.35V工作电压。
比如,一根4G DDR3L 1600笔记本内存,要比DDR3节省2W功耗,如果组成双通道将会节省4W功耗,简单来说,DDR3和DDR3L内存区别主要体现功耗和性能这两个方面。
DDR3L与DDR3性能区别
DDR3L内存功耗相比DDR3标准内存低了15%,功耗的降低,自然会造成性能的下降。通过测试,DDR3L内存性能要低于DDR3内存,不过两者差距并不算大。
价格说明
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购买说明
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NT5CC256M16ER-FL
NANYA(南亚)
FBGA96
4Gb
卷盘
SDRAM-DDR3L
DRAM
易失
表面贴装
MT47H64M16HR-25E IT:H 供应MICRON原装DDR2
MT46V16M16CY-5BIT:M 供应MICRON原装DDR
IS43TR16128B-125KBLI 供应ISSI原装DDR3
H5PS5182GFR-S6I SKhynix原装DDR2 现货供应
供应原装H9TKNNN4JDAPLR-NGM 海力士LPDDR2
H5PS1G63KFR-Y5J SKhynix原装DDR2 现货供应
NT5CB256M16EP-EK 优势供应NANYA原装DDR3
K4B1G1646E-HCH9 SAMSUNG原装DDR3 现货供应
K4T1G164QF-BCE6 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
H26M41104HPR SKhynix原装eMMC 现货供应