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产品属性
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主要参数
型号:H26M41104HPR
生产商:SK hynix
封装:FBGA
包装:托盘
容量:8Gb
存储类型:非易失
存储格式:闪存
存储技术:FLASH-NAND
存储接口:MMC
工作电压:2.7V ~ 3.6V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
H26M41104HPR
SK hynix
FBGA
8Gb
托盘
FLASH-NAND
闪存
非易失
表面贴装
供应MT48LC4M16A2TG-75:G MICRON原装SDR
K4B2G0846Q-BYKO SAMSUNG原装DDR3 现货供应
NT5TU64M16GG-3C 供应NANYA原装DDR2
K4B4G1646D-BHMA SAMSUNG原装DDR3 现货供应
K4B2G0846Q-BYK0 SAMSUNG原装DDR3 现货供应
K4T1G164QJ-BCF8 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
H5TQ1G63DFR-12C SKhynix原装DDR3 现货供应
K4T51163QG-HCF7 SAMSUNG原装DDR2 现货供应
IS42S32800D-7BL 供应ISSI原装SDRAM
IS42S16160D-7BL 供应ISSI原装SDRAM