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产品属性
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主要参数
型号:K4B1G1646E-HCH9
生产商:SAMSUNG
封装:FBGA78
包装:托盘
容量:1Gb
存储类型:易失
存储格式:DRAM
存储技术:SDRAM-DDR3
存储接口:并联
工作电压:1.425V ~ 1.575V
安装类型:表面贴装
器件状态:批量生产
应用领域:汽车电子,台式电脑,服务器,游戏机,物联网设备,便携式电脑,智能电视,网络通信,
人工智能,虚拟现实,增强现实,移动通信,工业控制,仪器仪表,安防监控,移动终端,
购买说明
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价格说明
我司在爱采购商铺展示的价格为指导价格或该商品曾经展示的销售价格,非原价,仅供参考。
具体售价以公司销售代表确认的价格为准。
K4B1G1646E-HCH9
SAMSUNG
FBGA78
1Gb
托盘
SDRAM-DDR3
DRAM
易失
表面贴装
NT5AD512M16C4-JR NANYA原装DDR4 现货供应
MT41J128M8JP-15E IT:G MICRON原装DDR3 现货供应
IS45S16320D-7TLA1 供应ISSI原装SDRAM
K4B4G0846E-BYKO SAMSUNG原装DDR3 现货供应
供应原装H9TKNNN8PDMPQR-NDM 海力士LPDDR2
H5GQ1H24BFR-R0C 海力士GDDR5 原装现货
IS43TR16128CL-125KBL 供应ISSI原装DDR3
供应H9TCNNNBLDMMPR-NGM SKhynix原装LPDDR2
NT5CC128M8GN-DII NANYA原装DDR3L 现货供应
K4T51163QG-HCE6 SAMSUNG原装DDR2 现货供应