NT5AD512M16C4-JR NANYA原装DDR4 现货供应

NT5AD512M16C4-JR   NANYA(南亚)DDR4存储芯片 原厂原装

生产商：NANYA(南亚)

产品类别：第四代双倍数据率同步动态存储器

系列：-

存储格式：DRAM

存储技术：SDRAM-DDR4

存储容量：8Gb

存储接口：并联

SPEED(速度)：-

时钟频率：-

写入时间：-

访问时间：-

电压-电源：1.14V ~ 1.26V

工作温度：0°C ~ 95°C（TC）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：FBGA-96

原厂包装：卷带

零件状态：批量生产

应用领域：汽车电子，台式电脑，服务器，游戏机，物联网设备，便携式电脑，智能电视，网络通信，

人工智能，虚拟现实，增强现实，移动通信，工业控制，仪器仪表，安防监控，移动终端，

DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为DDR4 SDRAM）第四代双倍数据率同步动态随机存储器，是一种高带宽的计算机存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR3 SDRAM更高的运行性能与更低的功耗，是现时最新的存储器规格。早于2011年，SAMSUNG制造并公布全球首支DDR4-SDRAM存储器模块，2012年9月JEDEC宣布正式成为DDR3 SDRAM（第三代双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继存储器标准。起始数据传送率由2133MT/s起跳，上限暂定为4266MT/s。实际相关的主板、处理器产品在2014年面世。

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