场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6401 AOS 美国万代 电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6401 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO6401 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO6401
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:P-FET硅P沟道
是否跨境出口货源:是

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使用优势VMOS场效应管场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。场效应管在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是既有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件。有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比三极管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

品牌

AOS

型号

AO6401

封装

TSOP-6

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压(Vdss)

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

贴片SMD

应用领域

3C数码,网络通信等

是否跨境货源

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)