场效应管 AO4607L AOS 美国万代 电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4607L AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4607L AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO4607L
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:P沟道
导电方式:增强型
用途:UNI/一般用途
封装外形:SMD(SO)/表面封装
是否跨境出口货源:是

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内存FLASH系列:SAMSUANG(可以查询现货库存1500多个种类 ),SST/ISSI(可以查询现货2700多个种类),MICRON(可以查询现货库存2600多个种类),HYNIX海力士(现代)(可以查询现货库存1200多个种类),SPANSION(可以查询现货库存400多个种类),SILICON(可以查询现货库存300多个种类),WINBOND(可以查询现货库存400多个种类)等。                                                                         AO4607LAO4607LAO4607L













 



                                                                                                                                              



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品牌

AOS

型号

AO4607L

封装

SOP-8

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压(Vdss)

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

贴片SMD

是否跨境货源

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)