图文详情
产品属性
相关推荐
AO4407L场效应管规格:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2500pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOS场效应晶体管使用注意事项:
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:
(1). MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装
(2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。
(3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。
AO4407L
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装