AO4407L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

金牌会员11年

全部产品 进入商铺

    AO4407L场效应管规格:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,20V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 10A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):45nC @ 10V

    Vgs(最大值):±25V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2500pF @ 15V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SO

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    MOS场效应晶体管使用注意事项:

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类,不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高(包括MOS集成电路)极易被静电击穿,使用时应注意以下规则:

    (1). MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装

    (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。

    (3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。

    


型号/规格

AO4407L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装