场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4816L AOS 美国万代 电子元器件IC
地区:广东 深圳
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无
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场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
AOS
AO4816L
SOP-8
17+18+
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标准
标准
标准
-55°C ~ 150°C(TJ)
贴片SMD
是
增强型
绝缘栅(MOSFET)