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产品属性
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AO4427场效应管参数:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):12 毫欧 @ 12.5A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):52nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2900pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
场效应管的使用注意事项规格:
为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉;从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等;当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全;在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件;为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来;管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管,要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作。
AO4427
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装