AO4425场效应管

    AO4425场效应管采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和超低的低栅极电荷，栅极额定值为25V。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。 它受到ESD保护

    AO4425场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4425

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：38V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 14A，20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：63nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3800pF @ 20V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC