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AO4484场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这是一种通用设备,适用于各种电源转换应用。
AO4484场效应管规格:
制造商零件编号:AO4484
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:MOSFET N-CH 40V 13.5A 8-SOIC
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):37nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1950pF @ 20V
功率 - 最大值:1.7W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
场效应管的特性:
1)工作条件:D极要有供电,G极要有控制电压;
2)主板上的场管N沟道多,G极电压越高,S极输出电压越高;
3)主板上的场管G极电压达到12V时,DS完全导通,个别主板上5V导通;
4)场管的D、S功能可互换。
AO4484
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
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