场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC

场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC

名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4704L AOS 美国万代 电子元器件IC 品牌：AOS/美国万代 型号：AO4704L 种类：绝缘栅(MOSFET) 沟道类型：N沟道 导电方式：增强型 用途：UNI/一般用途 封装外形：SMD(SO)/表面封装 是否跨境出口货源：是

          

 

           

场效应管与晶体管的比较（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。