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产品属性
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AO4404B场效应管采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),低栅极电荷栅极电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或在PWM应用中。 源引线被分开以允许开尔文连接到源,可用于绕过源电感。 标准产品AO4404B是无铅的(符合ROHS和Sony 259规范)。
AO4404B场效应管参数:
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
场效应管的作用:
1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
AO4404B
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装