AOD3N50场效应管

地区:广东 深圳
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    AOD3N50场效应管参数:

    FET 类型:N 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):500V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.8A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8nC @ 10V

    Vgs(最大值):±30V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):331pF @ 25V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):57W(Tc)

    工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63


    场效应管的参数:

    场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:

    1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。

    2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

    3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

    4、gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

    5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

    6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

    7、IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

型号/规格

AOD3N50

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装