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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代 电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代 电子元器件IC
名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌：AOS/美国万代
型号：AO4407A
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：P沟道
导电方式：增强型
用途：V-FET/V型槽MOS
封装外形：SMD(SO)/表面封装
材料：P-FET硅P沟道
是否跨境出口货源：是
 














 


                                                                                                                                              



名称：场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO4407A AOS 美国万代 电子元器件IC品牌：AOS/美国万代型号：AO4407A种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：P沟道导电方式：增强型用途：V-FET/V型槽MOS封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：P-FET硅P沟道是否跨境出口货源：是




品牌

AOS

型号

AO4407A

封装

SOP-8

批号

17+18+

FET类型

标准

漏源电压（Vdss）

标准

漏极电流(Id)

标准

漏源导通电阻(RDS On)

标准

栅源电压(Vgs)

标准

栅极电荷(Qg)

标准

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

贴片SMD

是否跨境货源

是

导电方式

增强型

种类

绝缘栅(MOSFET)