AO4411L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4411L场效应管规格:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):32 毫欧 @ 8A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):16nC @ 10V

    Vgs(最大值):±20V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):760pF @ 15V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SO

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


    场效应管使用注意事项:

    (1). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。

    (2). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。

    (3).电路板在装机之前,要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上去。

    (4). MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下,最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

    


型号/规格

AO4411L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装