英飞凌场效应管代理

地区:广东 深圳
认证:

深圳市创芯联盈电子有限公司

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    英飞凌场效应管代理规格:

    FET 类型:N 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):20V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.2A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):250 毫欧 @ 930mA,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V

    Vgs(最大值):±12V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):110pF @ 15V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):540mW(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:Micro3?/SOT-23

    封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


型号/规格

全系列

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装