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产品属性
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英飞凌场效应管代理规格:
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):250 毫欧 @ 930mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.9nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):110pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):540mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:Micro3?/SOT-23
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
全系列
INFINEON(英飞凌)
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装