AO4822L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4822L场效应管规格:

    FET 类型:2 个 N 沟道(双)

    FET 功能:标准

    漏源电压(Vdss):30V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 8A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):888pF @ 15V

    功率 - 最大值:2W

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SO


    场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。


型号/规格

AO4822L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装