AO4822L场效应管

    AO4822L场效应管规格：

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：888pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO

    场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。