AO4443场效应管

    AO4443场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。

    AO4443场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4443

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：40V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：42 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1175pF @ 20V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管分类：

    场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

    按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

    场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。