AO4443场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4443场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。


    AO4443场效应管规格:

    制造商零件编号:AO4443

    制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8SOIC

    FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):40V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6A(Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):42 毫欧 @ 6A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1175pF @ 20V

    功率 - 最大值:3.1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    供应商器件封装:8-SOIC


    场效应管分类:

    场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。

    按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

    场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

型号/规格

AO4443

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装