AO4800场效应管

    AO4800场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这两个MOSFET构成了一个紧凑而高效的开关和同步整流器组合，用于降压转换器。

    AO4800场效应管规格：

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.9A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO