场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3408 AOS 美国万代 电子元器件IC

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场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3408 AOS 美国万代 电子元器件IC
名称:场效应管 N沟道/P沟道MOS管 AO3408 AOS 美国万代 电子元器件IC
品牌:AOS/美国万代
型号:AO3408
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:汽车电子、无线遥控、智能照明
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:硅(Si)
是否跨境出口货源:是

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采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。场效应管(fet)是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被应用。

场效应管应用领域:

1:工业领域、步进马达驱动、电钻工具、工业开关电源

2:新能源领域、光伏逆变、充电桩、无人机

3:交通运输领域、车载逆变器、汽车HID安定器、电动自行车

4:绿色照明领域、CCFL节能灯、LED照明电源、金卤灯镇流器AO3402场效应管

品牌

AOS

型号

AO3408

封装

SOT-23

批号

17+18+

FET类型

参照PDF

漏源电压(Vdss)

参照PDF

漏极电流(Id)

参照PDF

漏源导通电阻(RDS On)

参照PDF

栅源电压(Vgs)

参照PDF

栅极电荷(Qg)

参照PDF

反向恢复时间

标准

耗散功率

标准

配置类型

标准

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

贴片SMD

应用领域

3C数码,网络通信等

是否跨境货源

导电方式

耗尽型

种类

绝缘栅(MOSFET)