AO4803L场效应管

    AO4803L场效应管规格：

    FET 类型：2 个 P 沟道（双）

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：520pF @ 15V

    功率 - 最大值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO

    MOS场效应晶体管使用注意事项：

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

    （1）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

    （2）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。

    （3）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。