AO4425L场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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    AO4425L场效应管参数:

    FET 类型:P 沟道

    技术:MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss):38V

    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V

    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 14A,20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):63nC @ 10V

    Vgs(最大值):±25V

    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3800pF @ 20V

    FET 功能:-

    功率耗散(最大值):3.1W(Ta)

    工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

    安装类型:表面贴装

    供应商器件封装:8-SOIC

    封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

    场效应管的使用注意事项:

    为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

    各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。

    MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。


型号/规格

AO4425L

品牌/商标

AOS

封装形式

贴片

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装