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产品属性
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AO4425L场效应管参数:
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):38V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10 毫欧 @ 14A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):63nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3800pF @ 20V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
场效应管的使用注意事项:
为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等。
MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮。
AO4425L
AOS
贴片
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装