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现货供应,IGBT，场效应管，IRFP250N

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市科沃科技有限公司

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Specifications
ParameterValue
Package TO-247AC
Circuit Discrete
VBRDSS (V) 200
VGs Max (V) 20
RDS(on) Max 10V (mOhms) 75.0
ID @ TC = 25C (A) 30
ID @ TC = 100C (A) 21
Qg T* (nC) 82.0
Qgd T* (nC) 38.0
Rth(JC) (K/W) 0.70
Power Dissipation @ TC = 25C (W) 214
Part Status Active
Environmental Options Available PbF and Leaded
Package Cl* Can Thru-Hole
品牌/商标

IR,VISHAY

型号/规格

IRFP250N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

20（V）

夹断电压

20（V）

跨导

10（μS）

*间电容

20（pF）

低频噪声系数

20（dB）

漏*电流

20（mA）

耗散功率

50（mW）