场效应管 IRFS11N50A IRFS11N50 ATRL

产品型号:IRFS11N50ATRL

封装:SOT-263

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):11

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.52 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):170

极间电容Ciss(PF):1423

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(ms)：6.1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,11A N-Channel 功率MOSFET

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