场效应管 FMH07N90G 07N90G FMH07N90

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FMH07N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过或贸易通在线联系,以确定当日市场最新价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新正品!价格优惠!现货供应!
MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
900V N沟道 场效应管(MOSFET):
2SK962-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,8A,2Ω
STW8NC90Z,ST,TO-247,DIP/MOS,N,900V,7.6A,1.38Ω
STW5NB90,ST,TO-247,DIP/MOS,N,900V,5.6A,2.5Ω
2SK1985-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,5A
2SK1984-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,3A
2SK2082-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
2SK3699-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,3.7A,4.3Ω
2SK4005-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
2SK3679-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.58Ω
2SK2652-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
2SK2654-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,8A,2Ω
2SK2850-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
KHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
KHB9D0N90F1,TO-220F,KEC,DIP/MOS,N,900V,9A,1.4Ω
FMV09N90E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
2SK3534-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω
2SK2769-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,3.5A,5.5Ω
2SK2651-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
FMV10N90E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,10A,
FMH07N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω
FMH09N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,9A,1.4Ω
FMH06N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
KHB9D0N90F1 TO-220F KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
KHB9D0N90N1 TO-3P KEC DIP/MOS N 900V 9A 1.4Ω
2SK3532-01MR,TO-220F,08 ,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,6A,2.5Ω
2SK2671,TO-220F,DIP/MOS,N场,900V,5A,2.8Ω
FQU2N90TU TO-251 05NPB FAIRCHILD DIP/MOS N场 900V 1.7A 7.2Ω
2SK2767 FUJ TO-220
SSP3N90A FAIRCHILD TO-220
2SK3566 TOSHIBA TO-220F
FS3KM-18A RENESAS/瑞萨 TO-220F
SSS3N90A FAIRCHILD TO-220F
STF3HNK90Z ST TO-220F
2SK2654 FUJ TO-3P
2SK2850 FUJ TO-3P
2SK962 FUJ TO-3P
FQA11N90 FAIRCHILD TO-3P
FQA5N90A FAIRCHILD TO-3P
FQA9N90C FAIRCHILD TO-3P
SSH5N90 FAIRCHILD TO-3P
FQAF7N90 FAIRCHILD TO-3PF
1000V N沟道 场效应管(MOSFET):
2SK3337-01,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,1000V,7A,2Ω
FQD2N100-729 FAIRCHILD SOT-252
IRFBG30 IR TO-220
IRFPG30 IR TO-247
IRFPG40 IR TO-247
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品牌/商标

FJD日本富士电机

型号/规格

FMH07N90G,TO-3P,FUJ,DIP/MOS,N场,900V,7A,2Ω

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4.5(V)

夹断电压

30(V)

极间电容

1800(pF)

漏极电流

7A(mA)

耗散功率

145W(mW)