场效应管 IRFS710B IRFS720B

地区:广东 深圳
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产品型号:IRFS710B

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400

夹断电压VGS(V): 30/-30

最大漏极电流Id(A):2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):3.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):23

极间电容Ciss(PF):250

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):100

温度(℃): -55 ~150

描述:400V,2A  N-Channel MOSFET

 

产品型号:IRFS720B

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400

夹断电压VGS(V): 30/-30

最大漏极电流Id(A):3.3

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.75 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):33

极间电容Ciss(PF):460

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):2.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):240

温度(℃): -55 ~150

描述:400V,3.3A  N-Channel MOSFET


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封装外形

P-DIT/塑料双列直插

型号/规格

IRFS710B IRFS720B,MOS,400V,2A,3.4Ω,220F

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

FAIRCHILD/仙童

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型