场效应管 NTD85N02RT4 G,85N02G

产品型号:NTD85N02RT4
特点
 * Pb?Free Packages are Available
 * Planar HD3e Process for Fast Switching Performance
 * Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss
 * Low Ciss to Minimize Driver Loss
 * Low Gate Charge

应用
 * CPU主板Vcore应用
 * 高频率DC-DC转换器
 * 电机驱动器
 * 桥电路

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):24

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):85

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0052 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):78.1

输入电容Ciss(PF):2050 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：38

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):85

导通延迟时间Td(on)(ns):6.3 typ.

上升时间Tr(ns):77 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):25 typ.

下降时间Tf(ns):12 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:24V,85A N-沟道增强型场效应晶体管

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