场效应管 FDN5630 PMV213SN

地区:广东 深圳
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PMV213SN,MOS,100V,1.9A,0.25Ω,SOT-23

FDN5630,MOS,60V,1.7A

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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
30V(SOT-23)场效应管(MOSFET):
2N7002 NXP/恩智浦 SOT-23 N场 0 0
AO3400 AO SOT-23 N场 30V 5.8A
AO3401 AO SOT-23 P场 -30V -4.2A
AO3402L AO SOT-23 N场 30V 4A
AO3403L AO SOT-23 P场 -30V -2.6A
AO3404 AO SOT-23 N场 30V 5.8A
AO3406 AO SOT-23 N场 30V 3.6A
AO3407 AO SOT-23 P场 -30V -4.1A
AO3409 AO SOT-23 P场 -30V -2.6A
AO3413L AO SOT-23 P场 -20V -3A
AO3414L AO SOT-23 N场 20V 4.2A
AO3415 AO SOT-23 P场 -20V -4A
AO3416L AO SOT-23 N场 20V 6.5A
AO3418L AO SOT-23 N场 30V 3.8A
AO3419 AO SOT-23 P场 -20V -3.5A
AP2306 AP/富鼎 SOT-23 N场 0 0
FDN336P FAIRCHILD SOT-23 P场 -30V -1.3A
FDN340P FAIRCHILD SOT-23 P场 -20V -2A
IRLML6401 IR SOT-23 P场 12V 4.3A
IRLML6402 IR SOT-23  20V 3.7A
SI2300 PHILOP/迪浦 SOT-23  0 0
SI2302DS NXP/恩智浦 SOT-23 N场 0 0
BAS21W infineon SOT-23-6 N场 0 0
NDC652P FAIRCHILD SOT-23-6 P场 -20V -1.3A
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品牌/商标

PHILIPS/飞利浦

型号/规格

PMV213SN,MOS,100V,1.9A,0.25Ω,SOT-23 FDN5630,MOS,60V,1.7A

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

-(V)

夹断电压

-(V)

跨导

-(μS)

极间电容

-(pF)

低频噪声系数

-(dB)

漏极电流

-(mA)

耗散功率

-(mW)