场效应管 TK6A55DA,K6A55DA,TK6A55D

产品型号:TK6A55DA

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):5.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.48 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.4

功率PD(W):35

极间电容Ciss(PF):600

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：3.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):182

温度(℃): -55 ~150

描述:550V,5.5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)

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