IRFP4110PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

地区:广东 深圳
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
MOSFET通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续直流电流:180 A
Rds上漏源导通电阻:3.7毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:150 nC
Pd-功率耗散:370 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon Technologies
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
零件号别名:IRFP4110PBF SP001556724
单位重量:38 g
应用领域
•SMPS中的高效同步整流
•不间断电源供应
•高速电源开关
•硬开关和高频电路
好处
•改进的Gate,雪崩和动态dv / dt坚固性
•完全表征的电容和雪崩SOA
•增强体二极管dV / dt和dI / dt能力

最大绝对额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

180CD

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

130CD

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

120

IDM

Pulsed Drain Current 0

670

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

370

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery ®

5.3

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55  to + 175

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lb·in (1.1N·m)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ®

–––

0.402

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.24

–––

RqJA

Junction-to-Ambient ®

–––

40

型号/规格

IRFP4110PBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装