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产品属性
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本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
晶体管极性:N沟道,P沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续直流电流:3.5 A
Rds上漏源导通电阻:150毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-萘甲酸:6.9 nC
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:1 N通道,1 P通道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
零件号别名:IRF9952TRPBF SP001555914
单位重量:540毫克
特征
•第五代技术
•超低导通电阻
•双N和P沟道MOSFET
•表面贴装
•极低的栅极电荷和开关损耗
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术,
以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET
功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的
器件设计相结合,为设计人员提供了一种非常有效和
可靠的器件,可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改,以增强热
特性和多芯片能力,使其成为各种电源应用的理想选择。
通过这些改进,可以在一块板子空间大大减少的应用
中使用多种设备。 该封装设计用于气相,红外或波峰焊技术。
最大绝对额定值
|
Symbol |
Maximum |
Units |
||
N-Channel |
P-Channel |
||||
Drain-Source Voltage |
VOS |
30 |
V |
||
Gate-Source Voltage |
VGS |
士 20 |
|||
Continuous Drain Current(i) |
TA = 25°C |
ID |
3.5 |
-2.3 |
A |
TA = 70°C |
2.8 |
-1.8 |
|||
Pulsed Drain Current |
IOM |
16 |
-10 |
||
Continuous Source Current (Diode Conduction) |
IS |
1.7 |
-1.3 |
||
Maximum Power Dissipation (i) |
TA = 25°C |
PD |
2.0 |
w |
|
TA = 70°C |
1.3 |
||||
Single Pulse Avalanche Energy |
EAS |
44 |
57 |
mJ |
|
Avalanche Current |
IAR |
2.0 |
-1.3 |
A |
|
Repetitive Avalanche Energy |
EAR |
0.25 |
mJ |
||
Peak Diode Recovery dv/dt 0 |
dv/dt |
5.0 |
-5.0 |
V/ ns |
|
Junction and Storage Temperature Range |
TJ, TSTG |
-55 to + 150 °C |
|
IRF9952TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装