F9Z34N场效应管

IR*原装场效应管  质量* 价格优势F9Z34N  IRF9Z34NPBF

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F9Z34N  IRF9Z34NPBF 产品规格  参数

数据列表 IRF9Z34NPbF
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 55V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 19A
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 100 毫欧 @ 10A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  620pF @ 25V
 
功率 - *大 68W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRF9Z34NPBF
 

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