供应**童场效应管8N60C

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
Product T*e:  MOSFET Power   
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
封装 / 箱体:  TO-220   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  1.2 Ohms   
 
正向跨导 gFS(*大值/*小值) :  8.7 S   
 
汲*/源*击穿电压:  600 V   
 
闸/源击穿电压:  /- 30 V   
 
漏*连续电流:  7.5 A   
 
功率耗散:  147 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

8N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

原厂规格(V)

夹断电压

原厂规格(V)

低频跨导

原厂规格(μS)

*间电容

原厂规格(pF)

低频噪声系数

原厂规格(dB)

漏*电流

原厂规格(mA)

耗散功率

原厂规格(mW)