IRF6604TR1 IRF DIRE*FET 原装* 现货 N-CH 30V

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IRF6604

IRF6614TR1PBF

DirectFET MOSFET 4Ps Checklist

IR Hexfet Circuit
IR Hexfet Circuit

4,800

離散半導體產品

FET - 單路

HEXFET®

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

30V

12A

11.5 毫歐姆 @ 12A, 7V

2.1V @ 250µA

26nC @ 4.5V

2270pF @ 15V

2.3W

表面黏著式

DirectFET™等距MQ

DIRE*FET™ MQ

編帶和捲軸封裝(TR)

1555 (TW2011-ZH PDF)

IRF6604TR

替代的封裝
本*件更有以下封裝可供選擇：

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF6604TR1

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

DUAL/配对管

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

30（μS）

*间电容

30（pF）

低频噪声系数

30（dB）

漏*电流

30（mA）

耗散功率

30（mW）