供应场效应ISL9N308AD3
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"FAIRCHILD/*童
ISL9N308AD3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
30（V）
30（V）
45（μS）
4（pF）
54（dB）
5（mA）
45（mW）
