供应场效应IRFB4212
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IR/国际整流器
IRFB4212
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
AM/调幅
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
30（V）
30（V）
30（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
