MOSFET管2SK3667

FamilySeriesFET T*eFET FeatureRds On (Max) @ Id, VgsDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25° CVgs(th) (Max) @ IdGate Charge (Qg) @ VgsInput Capacitance (Ciss) @ VdsPower - MaxMounting T*ePackage / Case

MOSFETs, GaNFETs - Single

-

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Standard

1 Ohm @ 4A, 10V

600V

7.5A

4V @ 1mA

33nC @ 10V

1300pF @ 25V

45W

Through Hole

2-10U1B

深圳市深霸电子经营部
:林先生
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