N通道MOSFET管HUF75639P3

地区:广东 深圳
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家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装
MOSFET,GaNFET - 单
UltraFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
25 毫欧 @ 56A, 10V
100V
56A
4V @ 250µA
130nC @ 20V
2000pF @ 25V
200W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB

深圳市深霸电子经营部
:林先生
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贸易通:szshengbadz

公司主要服务包括:
为客户提供在线及报价服务;
为客户提供*的产品技术资料和参数;
提供各种电子元器件配套供销服务;

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

HUF75639P3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

见下表详细说明(V)

夹断电压

见下表详细说明(V)

低频跨导

见下表详细说明(μS)

*间电容

见下表详细说明(pF)

低频噪声系数

见下表详细说明(dB)

漏*电流

见下表详细说明(mA)

耗散功率

见下表详细说明(mW)