CSD18511Q5AT

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详细介绍:

FET 类型N 

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）159A

（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3.5 毫欧 @ 24A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.45V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5850pF @ 10V

FET 功能-功率耗散（最大值）104W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-VSONP（5x6）

封装/外壳8-PowerTDFN

FET 类型N

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）159A

（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）3.5 毫欧 @ 24A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.45V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）63nC @ 10VVgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5850pF @ 10V

FET 功能-功率耗散（最大值）104W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-VSONP（5x6）

封装/外壳8-Power

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