BSZ042N04NSGATMA1

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详细介绍：

数据列表BSZ042N04NSG;标准包装  5,000包装  标准卷带 

零件状态最後搶購类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 

单系列OptiMOS™规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.2 毫欧 @ 20A，

10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 36μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）46nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3700pF @ 20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），69W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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漏源电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.2 毫欧 @ 20A，

10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 36μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）46nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3700pF @ 20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），69W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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单系列OptiMOS™规格FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）40V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）4.2 毫欧 @ 20A，

10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 36μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）46nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）3700pF @ 20VFET 功能-功率耗散（最大值）2.1W（Ta），69W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型

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