TDM3478 N-通道增强模式MOSFET

概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

特征
RDS（接通）<9.7mΩ@VGS=4.5V
RDS（接通）<6mΩ@VGS=10V
高功率和电流处理能力
ESD保护
表面安装包
无铅和绿色设备可用(与RoHS兼容)

应用
PWM应用程序
负载交换机
电源管理

供电系统

概述
TDM3478使用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

特征
RDS（接通）<9.7mΩ@VGS=4.5V
RDS（接通）<6mΩ@VGS=10V
高功率和电流处理能力
ESD保护
表面安装包
无铅和绿色设备可用(与RoHS兼容)

应用
PWM应用程序
负载交换机
电源管理
供电系统